초록
rf 마그네트론 스파터링법을 이용하여 투명 전도성 Sb-doped $SnO_2$ 박막을 증착하였으나 박막표면에서 막손상현상이 발생하였다. 특히 기판 중심부 및 타게트 부식부위에 대응하는 부분에서 발생된 막손상을 방지하고자 , 환원형의 마스크 유리가 타게트표면에서 1.5cm지점에 설치되었다. 또한 마그네트론 스파터링의 작동조건인 rf전력, 스파터링 가스압력 및 기판온도를 최적으로 조절하면서 박막의 균일성과 전기적 특성을 평가하였다. 작동조건을 이용한 실험결과에서 균일하고 막손상이 없는 박막을 증착하는 최적온도는 압력 변화에 따라 변하며, 비율은 50w의 rf전력에서 5mTorr당 약 $100^{\circ}C$정도였다. 유사하게 rf 전력？ md가에 대한 보상에서 최적온도는 적절한 비율로 내려간다.
Transparent and conducting Sb-doped $SnO_2$ thin films were prepared by rf magnetron sputtering technology. But it showed a serious damage phenomenon on the surface of as-deposited films. In order to avoid a damage caused in the substrate center and location facing to target erosion, a ring plate of masking glass was installed at 1.5 cm above target surface. The uniformity and electrical characteristic of $SnO_2$ thin films were evaluated by the control of optimal conditions in the magnetron sputtering operation such as rf power, sputtering gas pressure, and substrate temperature. In the experimental results using the operating conditions, the optimum temperature, which produced uniform and damageless films, shifted with the change of gas pressure. The rate was about $100^{\circ}C$/5 mTorr at rf power of 50 W Similarly, the optimum temperature in compensation for an increase of rf power shifted down to a proper rate.