Journal of the Korean Vacuum Society (한국진공학회지)

The Korean Vacuum Society (한국진공학회)
권호 표지

Single Source Chemical Vapor Deposition of Epitaxial Cubic SiC Films on Si

입방형 탄화규소 박막의 적층 성장

  • 이경원 (한국화학연구소 박막재료연구팀) ;
  • 유규상 (한국화학연구소 박막재료연구팀) ;
  • 구수진 (한국화학연구소 박막재료연구팀) ;
  • 김창균 (한국화학연구소 박막재료연구팀) ;
  • 고원용 (한국화학연구소 박막재료연구팀) ;
  • 조용국 (경기대학교 물리학과) ;
  • 김윤수 (한국화학연구소 박막재료연구팀)
  • Published : 1996.06.01
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Abstract

Epitaxial cubic silicon carbide films have been deposited on carbonized Si(001) substrates using the single precursor 1, 3-disilabutane in the temperature range 900-$1000^{\circ}C$ under high vacuum conditions. The films grown were characterized by in situ RHEED, XPS, XRD, x-ray pole figure, SEM, and TEM. The results show that epitaxial cubic SiC films with smooth morphology and good crystallinity were formed in this temperature range. The single precursor 1, 3-disilabutane has been found suitable for the epitaxial growth of cubic SiC on Si(001) substrates.

단일 선구물질인 1, 3 -디실라부탄을 사용하여 고진공 하의 온도 영역 900-$1000^{\circ}C$에서 탄화규소 환충층이 형성된 Si(001) 기질 위에 입방형 탄화규소 박막을 적층 성장시켰다. 얻어진 탄화규소 박막의 화학량론적 비, 양질의 결정성 및 표면형태의 특성을 반사 고에너지 전자 회절, Xtjs 광전자 분광법, X선 회절, Xtjs 극접도, 주사 전자 현미경 및 투과 전자 현미경으로 확인하였다. 이들 결과로부터 단일 선구물질인 1, 3-디실라부탄이 입방구조를 가지는 탄화규소 박막의 적층 성장에 적절한 물질임을 밝혔다.

Keywords

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