Interfacial Reactions of Cu/$CoSi_2$ and Cu/Co-Ti Bilayer Silicide

Cu/$CoSi_2$ 및 Cu/Co-Ti 이중층 실리사이드의 계면반응

  • Published : 1996.12.01

Abstract

배선 재료나 salicide 트랜지스터에 적용될 것으로 기대되는 Cu 배선과 Co 단일층 및 Co/Ti 이중층을 사용하여 형성된 코발트 실리사이드간의 열적 안정성에 대하여 조사하였다. 40$0^{\circ}C$열처리후 Cu3Si 막이 CoSi2층과 Si 기판 사이에 형성되었는데, 이것은 Cu 원자의 확산에 기인한 것이다. $600^{\circ}C$에서의 열처리 후에 형성된 최종막의 구조는 각각 Cu/CoSi2/Cu3Si/Si과 TiO2/Co-Ti-Si 합금/CoSi2/Cu3Si/Si였으며, 상부에 형성된 TiO2층은 산소 오염에 의한 것으로 밝혀졌다.

Keywords

References

  1. 39th Jap. Appl. Phys. Conf. Proc. #309-zh-8 Itch(et. al.)
  2. J. Electrochem. Soc. v.133 no.6 J.D.McBreyer;R.M.Swanson;T.W.Sigmon
  3. The Chemistry of Metal CVD T.Kodas(ed.);M.Hampden Smith(ed.)
  4. Conf. Proc. ULSI-VII M.E.Gross;V.M.Donnelly
  5. Silicon Processing for the VLSI Era v.2 S.Wolf
  6. J. Electrochem. Soc. v.141 no.12 F.Hong;G.A.Rozgonyi
  7. J. Appl. Phys. v.52 no.2 C.Y.Ting;M.Wittmer
  8. J. Appl. Phys. v.66 no.7 Chin An Chang
  9. J. Appl. Phys. v.50 no.11 G.J.van Grup;J.L.C.Daams;A.van Oostrom;L.J.M.Augustus;Y.Tamminga
  10. Thin Films-Interdiffusion and Reactions R.Rosenberg;M.J.Sullivan;J.K.Howard;J.M.Poate(ed.);K.N.Tu(ed.);J.W.Mater(ed.)
  11. J. Appl. Phys. v.68 no.12 J.O.Olowolafe;J.Li;J.W.Mayer
  12. Solid State Electron. v.21 R.Pretorius;J.M.Harris;M.A.Nicolet