Korean Journal of Materials Research (한국재료학회지)

Materials Research Society of Korea (한국재료학회)
권호 표지

Lattice Damage Produced during Silicon Etch Process and Its Recovery Phenomena

실리콘 식각 공정시 발생하는 격자결함 관찰 및 제거동향 연구

  • Won, Dae-Hui (Sung Kyun Kwan University Dept.of Materials Engineering) ;
  • Lee, Ju-Hun (Sung Kyun Kwan University Dept.of Materials Engineering) ;
  • Kim, Ji-Hyeong (Sung Kyun Kwan University Dept.of Materials Engineering) ;
  • Yeom, Geun-Yeong (Sung Kyun Kwan University Dept.of Materials Engineering) ;
  • Lee, Ju-Uk (Dept. of Materials Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology) ;
  • Lee, Jeong-Yong (Dept. of Materials Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology)
  • 원대희 (성균관대학교 재료공학과) ;
  • 이주훈 (성균관대학교 재료공학과) ;
  • 김지형 (성균관대학교 재료공학과) ;
  • 염근영 (성균관대학교 재료공학과) ;
  • 이주욱 (한국과학기술원 전자재료공학과) ;
  • 이정용 (한국과학기술원 전자재료공학과)
  • Published : 1996.05.01
Download PDF
⟨ Previous Next ⟩

Abstract

차세대 소자고립구조로서 연구되고 있는 trench isolation 공정 등에는 실리콘 식각이 요구되며 실리콘 식각 공정중에는 반응성 이온에 의해 격자결함이 발생할 수 있다. 이와같이 생성된 결함은 소자의 전기적 성질을 열화시키므로 열처리를 통하여 제거하여야만 한다. 따라서 본 연구에서는 Ar,Ar/H2 플라즈마로 격자결함을 인위적으로 발생시켜 20$0^{\circ}C$-110$0^{\circ}C$ 질소분위기에서 30분간 열처리에 따른 생성된 격자결함의 소거거동을 관찰하였다. 실리콘 표면에 Schottky 다이오드를 제작하여 I-V, C-V 특성을 측정하므로써 잔류하는 전기적인 손상의 정도를 평가하였다. Ar으로 식각한 경우에는 110$0^{\circ}C$ 30분간 열처리한 결과 모든 격자결함이 제거되나 Ar/H2로 식각한 경우에는 격자결함이 완전히 제거되지 않고 (111)적층결함이 남아있었다.

Keywords

References

  1. Semicond. Sci. Technol. v.8 Roy L. Maddox;Viju K. Mathews;Pieere C. Fazan
  2. J. Vac. Sci. Technol. B v.54 K.Blumenstock;J.Theisen;P.Pan;J.Dulak;A,Ticknor;T.Sandwick
  3. J. Electrochem, Soc. v.137 J.W.Lutze;A.H.Perera;J.P.Krusius
  4. Silicon Processing for the VLSI Era v.3 S.Wolf
  5. App. Phys. Lett. v.58 no.25 Takeshi Hamamoto
  6. J. Electrochem. Soc. v.137 A.Kassam;C.Meadowcroft;C.A.T.Salama;Ratnam
  7. J. Electrochem. Soc. v.141 Tieer Gu;O.O.Awadelkarim;S.J.Fonash;J.F.Rembetski;Y.D.Chan
  8. J. Electrochem. Soc. v.137 Stephen J. Fonash
  9. J. Electrochem. Sco. v.132 C.S.Oehrlein;R.M.Tromp;J.C.Tsang;Y.H.Lee;E.J.Petrillo
  10. Solid State Technol. no.March D.Flamm
  11. Solid State Technol. no.September M.C.Vella
  12. J. Electrochem. Soc. v.130 R.G.Frieser;F.J.Montillo;N.B.Zingerman;W.K.Chu;S.R.Mader
  13. Appl. Phys. Lett. v.48 no.17 X.C.Mu;S.J.Fonash;A.Rohatgi;J.Reiger
  14. J. Appl. Phys. v.69 no.4 O.S.Nakagawa;S.Ashok;J.K.Kruger
  15. J. Appl. Phys. v.58 no.11 X.C.Mu;S.J.Fonash;B.Y.Yang;K.Vedam,;A.Rohatgi;J.Rieger
  16. J. Electrochem. Soc. v.137 J.M.Heddleson;M.W.Horn;S.J.Fonash