Korean Journal of Materials Research (한국재료학회지)

Materials Research Society of Korea (한국재료학회)
권호 표지

Behavior of Solid Phase Crystallizations in Mechanical Damage Induced Hydrogenated and Non-Hydrogenated Amorphous Amorphous Silicon Thin Films

기계적 Damage 활성화 효과에 대한 수소화 및 비수소화 비정질 규소 박막의 고상 결정화 거동

  • 김형택 (시립 인천대학교 재료공학과) ;
  • 김영관 (시립 인천대학교 재료공학과)
  • Published : 1996.04.01
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Abstract

비정질 실리콘박막의 고상결정화 특성에 대한 비정질 박막의 증착방법, 수소화 정도, 표면결정 활성화 에너지 변화 및 열처리 환경 영향을 X선 회절, EDAX, Raman 분광 분석으로 조사하였다. 저온(58$0^{\circ}C$)열처리 corning 시료에서 기판 barium(Ba), aluminum(AI) 성분의 막내 확산 임계열처리시간 및 확산에 기인 한 불안정 결정화 특성을 관찰하였다. 화학기상증착 석영 수소화 시료에서 hard damage 기계적 활성화 효과로 얻어진 조대결정립 결정화 특성을 X선 회절의 (111) 배향 상대강도 변화로 관찰 할 수 있었으며, 이는 활성화 효과에 의한 고상 결정화 시 핵생성과 성장속도변화로 다결정 실리콘의 전기적물성 향상 가능성을 보여주었다. Soft damage, bare 활성화 처리 수소화막의 결정화는 비정질 상의 혼재, 박막 응력등의 저품위 입계특성 및 미세결정립 성장 특성으로 관찰되었으나, 활성화 전처리에 의한 저온 및 고온(875$^{\circ}C$)단시간(30분) 결정화는 확인 되었다. 스퍼터링 비수소화 막의 결정화는 상변태 상태의 Raman 결정피크로 분석 되었으며, 결정화 거동에 선행막의 스퍼터링 및 비수소화 영향은 활성화효과에 관계없이 불완전 저품위 결정특성으로 확인되었다. AFM 표면형상은 3차원 island 성막특성을 보여주었고 표면거칠기정도는 높은 것으로 관찰되었다.

Keywords

References

  1. Electron Letters v.15 Amorphous Silicon Field Effect Device and Possible Application P.G. Le Comber;W.E.Spear;A.Ghaith
  2. SID'94 Digest A Very Small Ploy-Si TFT-LCD for HDTV Projectors T.Yamashita;T.Matsumoto;Shimada;Y.Akebi;M.Kubo;K.Fujioka
  3. SID'94 Digest 1.3-in. Full-Color VGA Poly-Si TFT-LCDs with Completely Integrated Dirvers M.Matsuo;T.Hashizume;S.Inoue;M.Miyasaka;S.Takenaka;H.Ohshima
  4. Appl. Phys. Lett. v.65 Polycrystalline Silicon Thin Film Transistors Deposited at low Substrate Temperature by Remote Plasma Chemical Vapor Deposition Using SiF4/H2 J.I.Woo;H.J.Ihm;J.Jang
  5. 한국재료학회지 v.5 no.2 Characteristics of Low-Temperature Polysilicon Thin Film Transistors Y.H.Kim
  6. SID'94 Digest Advances in Liquid Crystals for TFT Displays R.Tarao;H.Saito;S.Sawada;Y.Goto
  7. Electrochemical Society Fall Meeting Characteristics of TFTs Fabricated from Polycrystalline UHV/CVD Si and Ge-Si Films T.Y.Ma;M.Racanelli;D.W.Greve
  8. 대한전자공학회논문지 v.28 no.2 Fabrication and Characteristics of Low Temperature Polycrystal Silicon Thin Film Transistors for Displays T.Y.Ma;K.C.Park;S.H.Kim
  9. Japan Display '92 Future of Amorphous Si TFTs and Their Fabrication Technologies N.Ibaraki
  10. Jpn. J. Appl. Phys. v.28 no.4 Polycyrstalline Silicon Film Formation at Low Temperature Using a Microcrystalline Silicon Film K.Nakazawa;K.Tanaka;N.Yamauchi
  11. J. Appl. Phys. v.65 no.5 Crystallized Si Films by Low-Temperature Rapid Thermal Annealing of Amorphous Silicon R.Kakkad;J.Smith;W.S.Lau;S.J.Fonash
  12. 1st TFT LCD international workshop SNU Metal Induced Lateral Crystallization of Amorphous Silicon Films S.K.Joo;S.W.Lee
  13. 한국재료학회 춘계 학술발표 논문집 A Study on Solid Phase Crystallization of Amorphous Silicon Thin Films Using Copper Susceptor D.G.Moon;J.N.Lee;B.T.Ahn
  14. SSDM '95 New Crystallization Process of LPCVD a-Si Films below 530°C Using Metal Adsorption Method D.K.Sohn;J.N.lee;B.T.Ahn
  15. Jpn. J. Appl. Phys. v.29 no.12 High Mobility Poly-Si Thin Film Transistors Using Plama-Enhanced Chemical Vapor Deposition S.Takenaka;M.Kunii;H.Oka;H.Kurihara
  16. 한국진공학회지 v.4 no.1 고진공 화학증착법으로 증착된 비정질 실리콘 박막의 저온 고상 결정화에 관한 연구 이상도;김형준
  17. 한국재료학회지 v.5 no.2 저압 화학 기상 증착법으로 제작한 다결정 실리콘의 표면 형태 및 결정 성장 이은구;박진성;이재갑
  18. 한국진공학회지 v.2 no.1 저압 화학 증착법으로 제조 된 Hemispherical Poly Si 박막의 미세구조 및 전기적 성질 라사균;김동원
  19. 한국재료학회 춘계 학술발표 논문집 ECR 플라즈마 CVD를 이용한 TFT-LCD용 a-Si 박막의 증착 및 특성 분석 박상국;김창식;이강렬
  20. Polycrystaline Silicon for Integrated Circuit Application T.Kamins
  21. 1st TFT LCD international workshop, Physics of amorphous and poly-Si TFTs for AMLCDS Michael Hack