저항열원체 Pt 박막의 밀착력과 응집화 현상

Adhesion and Agglomeration Phenomena of Pt Film of Resistance Heat Source

  • 이재석 (한양대학교 금속공학과) ;
  • 박효덕 (전자부품종합기술연구소 센서기기 연구팀) ;
  • 신상모 (전자부품종합기술연구소 센서기기 연구팀) ;
  • 박종완 (한양대학교 금속공학과)
  • 발행 : 1996.02.01

초록

각종 전자부품에 이용되는 백금막의 밀착력과 응집화 현상에 대해 연구하였다. 온도저항계수(TCR)의 열화 없이 밀착력을 향상 시키기 위해서 AI, Si의 산화물을 adhesion promoting layer로 이용한 결과 매우 우수한 밀착력과 TCR을 보였다. 질소분위기 600-90$0^{\circ}C$의 온도범위에서 행한 열처리를 통해 응집화현상을 관찰한 결과 응집화는 기판거칠기에 따라 다른 양상을 보였다. Si3N4등의 기판거칠기가 작은 adhesion promoting layer를 이용한 시편의 경우 고온인 90$0^{\circ}C$에서 응집화 현상이 발생되었다. 표면거칠기가 큰 AI-Si 산화물을 adhesion promoting layer로 이용한 시편의 경우 비교적 저온인 $600^{\circ}C$에서 응집화 현상이 발생했으며 80$0^{\circ}C$이상의 열처리의 경우 중앙응집체와 응집체고갈지역이 형성되는 현상을 나타내었다.

키워드

참고문헌

  1. Digest of Technicla Papers 7th International Conference on Soild-state Sensors and Actuators(Transducer'93) A.W.van Herwaaden;P.M.Sarrom;J.W.Gardner;P.Bataillard
  2. Sensors and Actuators B v.13 P.Krebs;A.Grisel
  3. Sensors and Actuators B v.15-16 M.Gall
  4. Technical Disgest v.11-14 The Fifth International Meeting on chemical Sensors J.H.Visser;M.Zanini;L.Rimai;R.E.Soltis;A.Kovalchuk;D.W.Hoffman;E.M.Logothetis;U.Bonne;L.T.Brewer;O.W.Bynum;M.A.Richard
  5. Met. Rev. v.19 R.Price
  6. Sensors and Actuactors B v.18-19 A.Dziedzic;L.J.Golonka;B.W.Licznerski;G.Hielscher
  7. Int. Met. REv. v.27 no.4 R.W.Vook
  8. Sintering and Catalysis P.Wynblatt;T.M.Ahn
  9. Surf. Sci. v.55 D.Kashchiev
  10. Surf. Sci. v.86 D.Kashchiev