Numerical Simulation for Deposition Rate Distribution of AI Film by MOCVD Process

MOCVD법에 의한 AI 박막의 증착속도 분포에 대한 수치모사

  • 정원영 (한국과학기술원 화학공학과 공정해석연구실) ;
  • 김도현 (한국과학기술원 화학공학과 공정해석연구실)
  • Published : 1996.01.01

Abstract

본 연구에서는 TIMA를 전구체로 하는 수직형 MOCVD 반응기를 대상으로 수학적 모델을 세우고 컴퓨터에 의한 수치모사를 수행하여 반응기 설계 변수 및 공정조건이 AI의 증착속도와 증착두께 분포에 미치는 영향을 알아보았다. 수학적 모델은 수직형 반응기를 축대칭으로 보아 2차원으로 수립하였으며 반응기내의 운동량전달, 열전달, 물질전달을 포함한다. 이 수학적 모델의 지배 방정식들에 대하여 Galerkin 유한요소법을 적용하여 수치적으로 반응기 내의 유체 흐름 구조, 온도분포와 반응물의 농도 분포를 구하였다. 수치모사 결과 AI의 증착속도는 반응기 압력이 0.47torr, 기판온도가 25$0^{\circ}C$, 유량이 7.5sccm일 경우, 190-230$\AA$/min로 나타났다.

Keywords

References

  1. J. Crystal Growth v.96 C.Gooding;N.J.Mason;P.J.Walker;D.P.Jebel
  2. J. Crystal Growth v.96 S.Patnaik;R.A.Brown;C.A.Wang
  3. J. Crystal Growth v.85 D.I.Fortiadis;A.M.Kramer;D.R.Mckenna;K.F.Jensen
  4. J. Electrochem. Soc. v.127 R.Pollard;R.Newman
  5. J. Crystal Growth v.102 D.I.Fortiadis;S.Kieda;K.F.Jensen
  6. Ph.D. Thesis, University of Minnesota D.I.Fortiadis
  7. Transport Phenomena R.B.Bird;W.E.Stewart;E.N.Lightfoot
  8. Int. J. Num. Meth. Eng. v.10 P.Hood
  9. 1994년 한국재료학회 추계학술발표 강연 및 논문 개요집 장태웅;백종태;천성순;안병태
  10. Korean J. of Chem. Eng. v.12 S.W.Rhee