센서학회지 (Journal of Sensor Science and Technology)
- 제5권2호
- /
- Pages.61-67
- /
- 1996
- /
- 1225-5475(pISSN)
- /
- 2093-7563(eISSN)
RTCVD 법으로 성장한 $Si_{1-x}Ge_{x}$ 에피막의 특성
Characteristics of the Heteroepitaxial $Si_{1-x}Ge_{x}$ Films Grown by RTCVD Method
- 정욱진 (산업과학기술연구소 전력전자연구팀) ;
- 권영규 (산업과학기술연구소 전력전자연구팀) ;
- 배영호 (산업과학기술연구소 전력전자연구팀) ;
- 김광일 (산업과학기술연구소 전력전자연구팀) ;
- 강봉구 (포항공과대학교 전자전기공학과) ;
- 손병기 (경북대학교 전자공학과)
- Chung, W.J. (Power Electronics Lab., RIST) ;
- Kwon, Y.K. (Power Electronics Lab., RIST) ;
- Bae, Y.H. (Power Electronics Lab., RIST) ;
- Kim, K.I. (Power Electronics Lab., RIST) ;
- Kang, B.K. (Dept. of Electrical Eng., POSTECH Univ.) ;
- Sohn, B.K. (Dept. of Electronics, KyungPook Nat'l Univ.)
- 발행 : 1996.03.30
초록
RTCVD (rapid thermal chemical vapor deposition) 법으로
The growth and characterization of heteroepitaxial
키워드