Abstract
The tungsten oxide thin films were prepared on $s_i$ wafer by using an electron-beam evaporation technique. Thickness and structure of tungsten oxide film degraded in various electrolytes were analyzed by Rutherford backscattering spectroscopy, Raman spectroscopy, X-ray photoelectron spectroscopy and scanning electron microscope. Thickness of $WO_3$ film was the most dissolved in 1M $H_2SO_4$ electrolytye. We have confirmed that the degradation of this films was accelerated by $H_2O$ in electrolytes. But the electronic structure of film degraded by electrolyte contained of glycerol was not changed as comparision with as-deposited film. The degradation may be attributed to a change of thickness and the surface morphology of the film.
텅스텐 산화물 박막이 전자 비임에 의해 실리콘 기판 위에 제작되었다. 여러가지 전해질에 의해 퇴화된 막의 두께와 구조는 후방산란분광, 라만분광, 광전자분광 및 전자현미경에 의해 연구되었다. 텅스텐 산화물 박막은 1몰의 황산 전해질속에서 두께가 가장 많이 용해 되었으며,수분에 의해 촉진된 것을 확인하였다. 그러나 글리세린이 포함된 전해질에 의해서 퇴화된 막의 전자구조는 제작된 막과 비교할 때 변화가 없었다. 막의 퇴화는 두께와 표면 구조변화에도 그 원인이 있음을 보였다.
