초록
반응성 전자빔 증착 방법으로 여러 산소압력 하에서 VO$_x$ 및 V$_{1-x}$ Sn$_{x}$O$_2$박막을 유리 위에 코팅하였다. Thermochromism과 천이온도는 spectrophotometer를 이용하여 여러 온도에서 파장에 따른 광투과율을 측정하여 조사하였다. 화학양론비를 RBS로 조사한 결과 산소 압력이 5$\times$$10^{-5}$ Torr 일때 가장 뚜렷한 thermochromic 효과를 나타내는 완전에 가까운 화학양론비를 갖는 VO$_2$박막을 제작할 수 있었다. 그리고 박막의 결정화를 위하여 rapid thermal annealing (RTA) 방법을 적웅한 결과 공기중에서 40$0^{\circ}C$~45$0^{\circ}C$에서 20~30초간의 어닐링 하였을 때가 두께 100~300nm의 박막을 결정화시키는데 최적조건으로 발견되었다. 또한, Sn을 VO$_2$에 1%~6% 첨가한 V$_{1-x}$ Sn$_{x}$O$_2$박막의 써모크로미즘 및 천이온도를 spectrophotometer로 근적외선의 투과율을 측정하여 조사한 결과 뚜렷한 thermochromism은 그대로 유지되었고 V$_{1-x}$ Sn$_{x}$O$_2$, 박막의 천이온도는 VO$_2$박막의 천이온도 보다 높게 나타났다.
VO$_{x}$ and V$_{1-x}$ Sn$_{x}$O$_2$thin films were fabricated on a glass under various $O_2$pressure by reactive e-beam evaporation method. Thermochromism and transition temperatures of these thin films were examined by measuring spectral solar transmittances with spectrophotometer at various temperatures, and their stoichiometries were analyzed by RBS. Oxygen pressure of 5$\times$10$^{-5}$ . Torr was found to be optimum to fabricate near stoichiometric VO$_2$thin film by reactive e-beam evaporation. Rapid thermal annealing(RTA) was adopted to crystallize the thin films and annealing at 40$0^{\circ}C$ ~45$0^{\circ}C$ for 20 ~ 30 seconds was found to be the optimum annealing condition for the crystallization of VO$_2$thin film of 100nm-300nm thickness. 1~6 atomic percent of Sn was doped into VO$_2$thin films to fabricate V$_{1-x}$ Sn$_{x}$O$_2$thin films. These V$_{1-x}$ Sn$_{x}$O$_2$thin films showed distinct thermochromism and significantly higher transition temperatures than VO$_2$thin film.