Korean Journal of Materials Research (한국재료학회지)
- Volume 5 Issue 6
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- Pages.706-714
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- 1995
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- 1225-0562(pISSN)
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- 2287-7258(eISSN)
Properties of $SiO_2$ Deposited by Remote Plasma Chemical Vapor Deposition(RPCVD)
원거리 플라즈마 화학증착법으로 증착된 이산화규소박막의 물성
- Park, Yeong-Bae (LG Electronics Co) ;
- Gang, Jin-Gyu (Laboratory for Advanced Materials Processing Dept. of Chemical Engineering, POSTECH) ;
- Lee, Si-U (Laboratory for Advanced Materials Processing Dept. of Chemical Engineering, POSTECH)
- Published : 1995.09.01
Abstract
Silicon oxide thin films were deposited by remote plasma chemical vapor deposition (RPCYD). The effect of the operating variables, such as plasma power, deposition temperature and partial pressure of reactant on the material Properties of the silicon oxide film was investigated. By XPS, it was found out that the film was suboxide (O/Si<2) and small amount of nitrogen due to the plasma excitation was accumulated at the Si/SiO
원거리 플라즈마 화학증착법을 이용하여 저온에서 이산화규소박막을 제조하였다. 본 연구 에서는 공정변수인 기판의 온도, 반응기체의 조성 및 분압과 플라즈마 전력에 따른 산화막의 재료적인 물성을 평가하였다. XPS결과에서 산화막은 양론비(O/Si=2)보다 약간 적어 실리콘이 많이 함유된 막으로 나타났다. 이 경우 굴절율과 ESR분석에 의해 미결합된 실리콘의 양이 증가함을 알 수 있었다. SIMS분석에 의해 미량의 질소성분이 계면에 존재하는 것과 실리콘 미결함을 관찰하였다. FT-IR로부터 막내 수소량을 정량화하였으며 결합각 분포는 20
Keywords