전자공학회논문지A (Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics A)
- 제32A권12호
- /
- Pages.142-148
- /
- 1995
- /
- 1016-135X(pISSN)
저온 변조 성장 기법을 이용하여 Sb가 ${\delta}$ 도핑된 다층 구조의 Si 분자선 박막 성장과 특성 분석
Molecular beam epitaxial growth and characterization of Sb .delta.-doped Si layers using substrate temperature modulation technique
초록
Sb
키워드