휴대전화기용 GaAs FET 고주파전력증폭기

이동통신에 대한 수요가 급증하고 있는 이즈음 Battery의 효율적인 사용이 휴대 전화기에 있어서 중요한 문제점으로 부각되고 있다. 본 논문은 LTI에서 1991년 후반부터 개발을 시작 1992년에 개발완료한 아날로그 방식의 5.8V 휴대전화기용 고주파전력 증폭기에 관한 것으로 이것의 일반적인 설계 방법과, 시험 및 생산 방법을 기술하고자 한다. 이와 같이 설계된 고주파 전력증폭기는 양산성이 있으며, 효율 60% typ. 출력 31.5dBm 이상 그리고 2차 3차, 및 4차 고조파가 모두 30 dBc 미만이며 그 외에 load missmatch, Noise, Spurious 특성이 휴대전화기에 적용하기 알맞게 안전하도록 설계되어 있다. 또한 장착의 효율성을 위해 크기를 최소화하여 1.4cc의 체적을 갖고 있다.