Journal of the Korean Vacuum Society (한국진공학회지)
- Volume 4 Issue 4
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- Pages.380-385
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- 1995
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- 1225-8822(pISSN)
A Study on the Dependence of Length for the Electromigration in the Dielectric Passivation Overlayered AI-1%Si Thin Film Interconnections and the Electromigration Resistance of Cu Thin Film Interconnetions
절연보호막 처리된 AI-1% 박막배선의 Electromigration에 대한 길이 의존성 및 Cu 박막배선의 Electromigration 저항성 변화에 대한 연구
Abstract
AI-1%Si 박막배선에서 수명의 길이 의존성 및 EM에 대한 저항성을 절연보호막 및 온도에 대하여 관찰하였고 ICB증착된 Cu박막배선의 EM에 대한 저항성을 측정하여 진공 열증착된 Cu 박막배선과 비교하였다. 첫째, 절연보호막 처리된 AI-1%Si 박막배선에서 길이가 200
Keywords