한국진공학회지 (Journal of the Korean Vacuum Society)
- 제4권3호
- /
- Pages.327-333
- /
- 1995
- /
- 1225-8822(pISSN)
극소전자 디바이스를 위한 AI-1%Si 박막배선에서의 Electromigration 특성
Electromigration Characteristics in AI-1%Si Thin Film Interconnections for Microelectronic Devices
초록
전자소자의 축소화에 따라 박막배선에서의 electromigration은 점차 극소전자 디바이스의 주요 결함원인으로 부각되고 있다. 본 실험에서는 현재 박막 배선 재료로 가장 널리 사용되고 있는 AI-1%Si 금속박막배선의 electromigration에 대한 온도 및 배선길이의 의존성에 관하여 연구하였다. PSG(
키워드