Journal of the Korean Vacuum Society (한국진공학회지)
- Volume 4 Issue 1
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- Pages.104-108
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- 1995
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- 1225-8822(pISSN)
Study on Electrical Activation of As Ion Implanted Si(100)
As 이온이 주입된 단결정 실리콘(100)의 전기적 활성화 연구
Abstract
Hall 효과 측정을 이용하여 As+이 주입된 다결정 실리콘의 열처리 조건에 따른 활성화 과정을 연구하였다. 주입된 이온의 농도 분포는 SIMS(Secondary Ion Mass Spectroscopy)와 SUPREMIV 모의 실험으로 조사하였다. 열처리 온도가 증가함에 따라 활성층의 전자 면 농도 증가가 뚜렷이 나타났으며, Hall 이동도의 온도 의존성 측정으로 주입된 도우즈에 따라 이온 주입층의 활성화에 필요한 열처리 온도가 달라져야함을 알 수 있었다. 그리고, 접합 손실전류의 감소는
Keywords