p-I-n 다이오드를 이용한 마이크로파 위상변위기 설계

Design of the microwave phase shifter using p-i-n diodes

  • 최재연 (한양대학교 전자통신공학과) ;
  • 이상설 (한양대학교 전자통신공학과)
  • 발행 : 1995.06.01

초록

p-i-n 다이오드를 이용한 위상변위기를 설계하고, 그 특성을 해석하였다. 큰 위상변화는 가변선로형 위상변위기와 하이브리드 브랜치라인위상변위기로 실현하고, 작은 위상변화는 부하선로형 위상변위기로 실현하였다. 컴퓨터 시뮬레이션을 통하여 중심주파수 3.2GHz에서 좋은 위상변화특성이 유지됨을 확인하였고, 실제 제작된 위상변위기 특성도 이론치에 매우 근사하게 나타났다.

In this paper, the phase shifter using the p-i-n diode is designed and analyze. The large phase shift can be achieved by the swithched-line and the hybrid branch line phase shifter, however the small phase shift can be achieved by the loaded-line phase shifter, according to the bias state of the p-i-n niode. The results of the experiment agree with those of computer simulation at the center frequency.

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