Magnetoresistive Effect in Ferromagnetic Thin Film(III)

강자성체 박막(Co-Ni)의 자기-저항 효과에 관한 연구(III)

  • Chang, C.G. (Dept. of Physics, Chungnam Nat'l Univ.) ;
  • Yoon, M.Y. (Dept. of Physics, Chungnam Nat'l Univ.) ;
  • Kim, Y.I. (Sensor Technology Research Center/Kyungpook Nat'l Univ.) ;
  • Son, D.R. (Dept. of Physics, Hannam Univ.)
  • 장충근 (충남대학교 물리학과) ;
  • 윤만영 (충남대학교 물리학과) ;
  • 김영일 (경북대학교 센서기술연구소) ;
  • 손대락 (한남대학교 물리학과)
  • Published : 1995.02.28

Abstract

To fabricate low field magnetic sensors using magnetoresistance(MR) effects, we deposited thin layers of $600{\AA}$ in thickness of Ni-Co(0.7Ni-0.3Co) alloy on slide glasses. In the layers we ordered 4 arms of the fullbridge sensors in the shape of grid structure to be inclined at an angle of $45^{\circ}$ to main axis and made the areal rate increase to 67%. While the response characteristics of the fabricated sensors had good linearity in the magnetic field of ${\pm}0.5mT$ ranges, the white noise was 0.2 nV and the voltage sensitivity was 7.6 $nV/{\mu}T$.

자기저항 효과를 이용한 저자장 자기센서를 제작하기 위하여 슬라이드 유리 기판위에 Ni-Co(0.7Ni-0.3Co) 합금을 $600\;{\AA}$ 두께로 진공증착 하였다. 증착된 박막을 bridge 구조의 격자무늬로 식각하는 과정에서 4개의 bridge arm을 주축과 $45^{\circ}$로 배열하고 그 면적율을 67%로 증대시켰다. 제작된 센서는 자장범위 ${\pm}0.5mT$에서 직선성이 양호하였으며 백색잡음은 0.2nV 이었고 전압감도는 7.6 $nV/{\mu}T$ 이었다.

Keywords