R.F. magnetron sputtering 법으로 제작한 ITO 박막의 특성

Properties of ITO thin films fabricated by R.F magnetron sputtering

Indium Tin Oxide (ITO) 박막을 $In_{2}O_{3}$(90mol%) : $SnO_{2}$(10mo1%)의 조성비를 가지는 타겟을 사하여 rf 마그네트론 스퍼터링 법으로 제작하였다. 기판온도 100, 200, 300, 400, $500^{\circ}C$ 와 열처리 온도 300, 400, $500^{\circ}C$로 변화시켜 주면서 제작하였으며 X-ray 회절 패턴, 전기적 특성, 투과도, SEM 사진 등으로 분석하였다. 그 결과 기판온도를 증가시킬수록 결정성, 전기 전도도와 투과도가 향상되었다. 그러나 공기 중에서 열처리 온도를 증가함에 따라 도리어 전도도는 감소하였다. 기판온도 $300^{\circ}C$ 이상에서 $3000\;{\AA}$ 두께를 가지고 성장된 ITO 박막은 약 $2{\times}10^{-4}{\Omega}cm$의 저항률과 85% 이상의 가시광 투과율을 가졌다.

Indium Tin Oxide (ITO) thin films have been fabricated by the rf magnetron sputtering technique with a target of a mixture $In_{2}O_{3}$ (90mol%) and $SnO_{2}$ (10mol%). We prepared ITO thin films with substrate temperature 100, 200, 300, 400, $500^{\circ}C$ and post-annealing temperature 300, 400, $500^{\circ}C$. And we analyzed X -ray diffraction patterns, electrical properties, transmission spectra and SEM photographs. As a result, the crystallinity, electrical conductivity and transmittance of ITO thin films were improved with increasing substrate temperature. But, as increasing post-annealing temperature in air, conductivity of the film was decreased. When the ITO thin film was fabricated with substrate temperature of $500^{\circ}C$ and thickness of $3000{\AA}$, its resistivity and transmittance were about $2{\times}10^{-4}{\Omega}cm$ and 85% or more, respectively.