센서학회지 (Journal of Sensor Science and Technology)
- 제4권2호
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- Pages.7-13
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- 1995
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- 1225-5475(pISSN)
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- 2093-7563(eISSN)
압전박막을 이용한 감압전장효과 트랜지스터(PSFET)의 동작 특성
The Operational Characteristics of a Pressure Sensitive FET Sensor using Piezoelectric Thin Films
- 양규석 (경북대학교 전자공학과) ;
- 조병욱 (경북대학교 전자공학과) ;
- 권대혁 (경북산업대학교 전자공학과) ;
- 남기홍 (경북산업대학교 전자공학과) ;
- 손병기 (경북대학교 전자공학과)
- Yang, Gyu-Suk (Dept. of Electronics Eng. Kyungpook National Univ.) ;
- Cho, Byung-Woog (Dept. of Electronics Eng. Kyungpook National Univ.) ;
- Kwon, Dae-Hyuk (Dept. of Electronics Eng. Kyungpook Sanup Univ.) ;
- Nam, Ki-Hong (Dept. of Electronics Eng. Kyungpook Sanup Univ.) ;
- Sohn, Byung-Ki (Dept. of Electronics Eng. Kyungpook National Univ.)
- 발행 : 1995.05.31
초록
MOSFET의 전장효과와 압전물질의 압전효과를 결합한 새로운 FET형 반도체압력소자(PSFET : pressure sensitive field effect transistor)를 제조하고 동작 특성을 조사하였다. PSFET의 압전박막은 RF 마그네트론 스퍼터링으로 ZnO박막을 약
A new FET type semiconductor pressure sensor (PSFET : pressure sensitive field effect transistor) was fabricated and its operational characteristics were investigated. A ZnO thin film as a piezoelectric layer,
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