Journal of Sensor Science and Technology (센서학회지)

The Korean Sensors Society (한국센서학회)
권호 표지

Characteristics of PLT thin films by rf magnetron sputtering

고주파 마그네트론 스펏터링법으로 제조한 PLT 박막의 특성

  • Choi, B.J. (Dept. of Electronic & Electrical Eng., Kyungpook National Univ.) ;
  • Park, J.H. (Dept. of Electronic & Electrical Eng., Kyungpook National Univ.) ;
  • Kim, Y.J. (Dept. of Electronic & Electrical Eng., Kyungpook National Univ.) ;
  • Choi, S.Y. (Dept. of Electronic & Electrical Eng., Kyungpook National Univ.) ;
  • Kim, K.W. (Dept. of Electronic & Electrical Eng., Kyungpook National Univ.)
  • 최병진 (경북대학교 공과대학 전자.전기공학부) ;
  • 박재현 (경북대학교 공과대학 전자.전기공학부) ;
  • 김영진 (경북대학교 공과대학 전자.전기공학부) ;
  • 최시영 (경북대학교 공과대학 전자.전기공학부) ;
  • 김기완 (경북대학교 공과대학 전자.전기공학부)
  • Published : 1995.08.31
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Abstract

The PLT thin films on MgO substrate have been fabricated by RF magnetron sputtering and the dependence of properties on fabrication conditions have been studied. The PbO-rich target was used and the optimum fabrication conditions of the PLT thin films were such that substrate temperature, working pressure, $Ar/O_{2}$ ratio, and rf power was $640^{\circ}C$, 10 mTorr, 10:1, and $1.7\;W/cm^{2}$, repectively. In these conditions, the PLT thin film showed the deposition rate of $62.5\;{\AA}/min$, the Pb/Ti ratio of 1/2, and the dielectric constant of 200. The PLT thin film showed good c-axis orientation and crystalinity according to XRD and SEM analysis.

고주파 마그네트론 스펏터링법으로 MgO 기판위에 제조된 PLT((PbLa)$TiO_{3}$) 박막의 제조변수에 따른 특성을 조사하였다. PbO 과잉인 타겟을 사용하였으며 기판온도, 분위기압, $Ar/O_{2}$, 및 고주파 전력밀도가 각각 $640^{\circ}C$, 10 mTorr, 10/1, 및 $1.7\;W/cm^{2}$ 일 때 가장 좋은 특성을 나타내었다. 이러한 조건에서 제조된 PLT 막은 증착율이 $62.5\;{\AA}/min$, Pb/Ti가 1/2, 비유전율이 200이였으며 좋은 c축 배양성과 결정성을 나타내었다.

Keywords