초록
$Na^{+}$ 이온을 주입시킨 후, $^{17}$ Cs 감마선으로 조사된 $Al_2$O$_3$ 및, $Na^{+}$ 이 주입된 $Al_2$O$_3$의 열자극 발광을 340K～620K의 온도 구간에서 측정하였다. $Na^{+}$ 이온을 주입시킨 후, $^{137}$Cs 감마선으로 조사된 $Al_2$O$_3$의 열자극 발광 곡선은 415K, 452K, 508K, 및 568K에서 TL peak를 가지는 곡선으로 분해되었다. $Na^{+}$ 이온 주입 후 $^{137}$Cs 감마선 조사된 $Al_2$O$_3$는, $Na^{+}$ 이온만 주입된 $Al_2$O$_3$와 $^{137}$Cs 감마선 만 조사된 $Al_2$O$_3$보다 각각 defect traps에 구속된 전하운반체의 밀도와 defect traps의 밀도가 증강되었기 때문에, $Na^{+}$ 이온 주입 후 $^{137}$Cs 감마선 조사된 $Al_2$O$_3$보다 각각 20배, 5배 증가되었다. 주입 이온 선량과 에너지의 증가는 defect trap 밀도의 증가를 초래함으로, 이온 주입된 시료의 열자극 발광 세기는 이온의 선량과 에너지에 의존함을 알았다. 입사 이온의 질량이 증가함에 따라 열자극 발광 세기는 기하급수적으로 급격히 감소하였고, 이것은 열자극 발광 세기가 결함 생성률 뿐만 아니라, 이온의 주입 깊이에도 밀접한 관계가 있음을 보여주었다.
$\^$137/Cs gamma ray induced thermoluminescenc(TL) from Na$\^$+/ ion implanted Al$_2$O$_3$ and unimplanted Al$_2$O$_3$ and the TL from Na$\^$+/ ion implanted Al$_2$O$_3$ are measured over the temperature range of 340K～620K. The TL curve of Na$\^$+/ ion implanted Al$_2$O$_3$ induced by $\^$137/Cs gamma ray is split into iolated TL peak located at 415K, 452K, 508K, and 568K. Because that the concentration of trapped char he carries of $\^$137/Cs gamma ray induced Al$_2$O$_3$ implanted with Na$\^$+/ ion is larger than that of Na$\^$+/ ion only implanted Al$_2$O$_3$, and the trap concentration of Na$\^$+/ ion implanted Al$_2$O$_3$ is much than that of $\^$137/Cs gamma ray only irradiated Al$_2$O$_3$, the TL intensity of Na$\^$+/ ion implanted Al$_2$O$_3$ induced by $\^$137/Cs gamma ray is about 20 times and 5 times higher than that of Al$_2$O$_3$ only implanted with Na$\^$+/ ion and Al$_2$O$_3$ only irradiated with $\^$137/Cs gamma ray, respectively. In proportion as ion implantation does and energy are incresed, the number of generated defects and the rate of defect creation are incresed, respectively. Therefore the TL intensity of ion implanted Al$_2$O$_3$ is depend on ion dose and energy. Acccrding to increse of incident ion mass, the TL intensity of ion implanted Al$_2$O$_3$ is abruptly decresce. This result showes that the TL intensity of ion implanted Al$_2$O$_3$ is closely related to ion depth range as wll as rate of defect creatin. The TL intensity of ion implanted Al$_2$O$_3$ is found to be related with defects generated by ion implantation. Table Caption
