전자공학회논문지A (Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics A)
- 제31A권9호
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- Pages.78-88
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- 1994
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- 1016-135X(pISSN)
급속열처리에 의한 TiN/$TiSi_2$ 이중구조막을 이용한 submicron contact에서의 전기적 특성
The Electrical Roperties of TiN/$TiSi_2$ Bilayer Formed by Rapid Thermal Anneal at Submicron Contact
초록
The electrical properties of TiM/TiSi
키워드