광자기 기억장치에서의 자화반전 특성 모델링

A Modelling of magnetization reversal characteristics in magneto-optic memory system

  • 한은실 (숭실대학교 전자공학과) ;
  • 이광형 (숭실대학교 전자공학과) ;
  • 조순철 (숭실대학교 전자공학과)
  • 발행 : 1994.10.01

초록

본 논문은 비정질 회토류 천이 급속 박막내에서의 자벽 역학(Magnetic domain wall dynamics)을 란다우 리프쉬츠 길버트 (Landau Lifshitz Gilbert) 방정식을 이용한 수치적 해석을 수행하여 연구하였다. 박막을 이차원 정방형 격자($30\times30$)로 나누고, 각 격자 셀(Cell)에 쌍극자간 존재한다고 상정하여, 이들 쌍극자간의 상호 교환 작용과 자기 이방성, 외부 인가 자계, 그리고 감자계의 영향이 고려되었다. 단축 자기 이방성이 존재하고 역방향의 자화가 존재한다고 가정된 상태에서 자벽이 형성되는 시간과 자벽의 두께를 알아보았다. 또한 외부 자계의 인가에 따른 자벽 이동을 연구하였다. 시뮬레이션 결과, 감자계를 고려했을 때 자벽 형성 시간이 상당히 빨라졌고, 평균 자벽의 이동도(Mobility)는 약간 증가되었다.

Domain wall dynamics in thin film of amorphous Rare Earth-Transistion Metal alloys were investigated using numerical integration of the Landau-Lifshitz-Gilbert equation. The thin film was divided into a two-dimensional square lattice ($30\times30$) of dipoles. Nearest-neighbor exchange interaction magnetic anisotropy, applied magnetic field, and demagnetiing field of interacting anisotropy, applied magnetic field, and demagnetizing field of interacting dipoles were considered. It was assumed that the film had perfect uniaxial anisotropy in the perpendicular direction and the magnetization reversal existed in the film. The time of domain wall creation and the thickness of the wall were investigated. Also the motion of domain walls under an applied field was considered. Simulation results showed that the time of domain wall creation was decreased significantly and the average velocity of domain wall was increased somewhat when the demagnetizing field was considered.

키워드