Journal of the Korean Vacuum Society (한국진공학회지)
- Volume 3 Issue 3
- /
- Pages.337-340
- /
- 1994
- /
- 1225-8822(pISSN)
Strain Relief of$ Ge_xSi_{1-x}$ (100) Mesa Structure
Si(100) 메사 구조위에 성장시킨$ Ge_xSi_{1-x}$ 층에서의 응력 풀림
- Kang, Yoon-Ho (Department of Physics, Seoul National University) ;
- Kuk, Young (Department of Physics, Seoul National University)
- Published : 1994.09.01
Abstract
기판의 크기에 따른 Strained Layer에서의 응력 풀림 현상을 연구하기 위하여 마이크론 이하에 서 50 마이크론의 크기를 가지는 메사 구조를 제작하였다. 제작된 메사 구조위에 성장시킨 GeSi층은 마 이크로 Raman, XPS, I-V와 C-V측정에 의하여 응력의 풀림현상을 관찰하였다. 이 실험을 통하여 메사 구조 위에 성장시킨 GexSi1-x 층에서의 응력풀림이 편평한 기판위에 성장시킨 경우에 비하여 원활하였 다. 이것은 메사 구조의 가장자리에 Strain Dislocation 이 편중되는 것으로 이해될수 있다.
Keywords