Journal of the Korean Vacuum Society (한국진공학회지)
- Volume 3 Issue 3
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- Pages.322-330
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- 1994
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- 1225-8822(pISSN)
Effect of ion implantation on the suppression of abnormal oxide growth over $WSi_2$
텅스텐 실리사이드 산화시 발생하는 이상산화 현상억제에 미치는 이온 주입효과
Abstract
다결정실리콘 위에 저압 화학 증착법으로 비정질 WSix를 증착시킨 후에 질소 분위기, 87
Keywords