Journal of the Korean Vacuum Society (한국진공학회지)
- Volume 3 Issue 2
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- Pages.212-219
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- 1994
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- 1225-8822(pISSN)
Structure and Photoluminescence of ZnS-ZnSe Superlattices grown by Hot Wall Epitaxy
Hot Wall Epitaxy에 의하여 성장된 ZnS-ZnSe 초격자의 구조 및 Photoluminescence
Abstract
Hot wall epitaxy법에 의하여 GaAs(100)aus 위에 ZnS-ZnSe 초격자를 성장하였다. ZnS-ZnSe 초격자의 주기는 x-선 회절 패턴에 의하여 확인되었고 이것은 변형을 고려하고 계산된 이론적인 패턴과 비교되었다. 경계면에 평행한 ZnS와 ZnSe의 변형의 비는 ZnSe에 대하여 ZnS의 두께기 증가할수록 감 소되었다. ZnS-ZnSe 초격자의 photoluminescence(PL)는 고에너지 영역의 예리한 스펙트럼과 저에너지 영역의 폭이 넓은 스펙트럼으로 구성되어있다. PL의 광자에너지는 Kronig-Penney 모델을 사용하여 계 산된 이론적인 에너지 값과 비교한 결과 type I의 초격자임을 알았다.
Keywords