한국진공학회지 (Journal of the Korean Vacuum Society)
- 제3권1호
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- Pages.122-129
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- 1994
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- 1225-8822(pISSN)
MWPECVD법에 의한 다이아몬드의 고속성장
High Growth of Diamond Films by MWPECVD
초록
MWPECVD법으로 CH3CHO-H2 계와 CH4-H2-O2 계로부터 Si 기판 위에 다이아몬드박막을 성장 시키고 성장된 박막을 SEM XRD 및 Raman 분광기로 평가하고 박막과 입자의 성장률을 조사하였다. 마이크로 판전력 950W 반응관압력 80torr 수소유량 200sccm 기판온도 95
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