Abstract
We have investigated on the photoreflectance(PR) of heavily Si-doped n-GaAs. The PR response was found to be dependent of modulation beam intensity, modulation frequency, and temperature. From the observed Franz-Keldysh oscillation(FKO), we determined the band gap energy and surface electric field. As the temperature is decreased from room temperature to 77K, the band gap energy increases while the surface electric field decreases. The quality of crystal was greatly increased after thermal annealing for 5 min at $500^{\circ}C$.
Si이 고농도로 첨가된 n-GaAs(100)의 Photoreflectance(PR)에 대하여 조사하였다. PR 응답은 변조빔 세기, 변조 주파수 및 온도에 의존함음 알았다. 관측된 Frantz-Keldysh oscillation(FKO)으로 부터, 띠간격 에너지($E_o$)와 표면전장(($E_s$)을 결정하였다. 온도가 상온에서 77K로 감소시킴에 따라, 띠간격 에너지는 증가하는 반면에 , 표면전장은 감소한다. 결정성은 $500^{\circ}C$에서 5분간 열처리후 크게 향상되었다.
