Korean Journal of Materials Research (한국재료학회지)

Materials Research Society of Korea (한국재료학회)
권호 표지

Formation of amorphous and crystalline phase, phase sequence by solid state reaction in Zr/Si multilayer thin films

Zr/Si 다층박막에서의 고상반응에 의한 비정질상과 결정상의 생성 및 상전이

  • Sim, Jae-Yeop (Dept. of Metallurgical Engineering, Yonsei University) ;
  • Ji, Eung-Jun (Dept. of Metallurgical Engineering, Yonsei University) ;
  • Gwak, Jun-Seop (Dept. of Metallurgical Engineering, Yonsei University) ;
  • Choe, Jeong-Dong (Dept. of Metallurgical Engineering, Yonsei University) ;
  • Baek, Hong-Gu (Dept. of Metallurgical Engineering, Yonsei University)
  • Published : 1994.08.01
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Abstract

DSC와 XRD를 사용하여 Zr/Si 다층박막의 고상반응에 의한 비정질상과 결정상 생성 및 상전이를 확인하고 이를 유효구동력 개념과 유효생성열 개념 및 phase determining factor(PDF)모델을 이용하여 예측한 결과와 비교하였다. Zr/Si 다층박막은 비정질호 반응이 잘 일어났으며 이는 유효구동력 개념으로 예측한 바와 일치하였다. Zr/Si 계에서 생성되는 최초의 결정상은 ZrSi 였으며 유효생성열과 PDF모델로부터 예측된 최초의 결정상은 PDF 모델의 예측 결과와 일치하였다. Zr/Si 다층박막의 원자조성비가 1대 1일경우와 1대 2일 경우의상전이는 ZrSi$\longrightarrow$$ZrSi_{2}$로 되었으며 이러한 상전이 과정은 유효생성열 다이아그램으로 해석되었다. ZrSi의 생성기구는 핵생성이 율속임을 규명하였고 ZrSi와 $ZrSi_{2}$의 생성에 필요한 활성화에너지는 1.64$\pm$0.19eV와 2.28$\pm$0.36eV이었다.

Keywords

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