마이크로전자및패키징학회지 (Journal of the Microelectronics and Packaging Society)
- 제1권2호
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- Pages.125-134
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- 1994
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- 1226-9360(pISSN)
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- 2287-7525(eISSN)
Ru 계 후막저항계의 상전이 기구
Phase Transitions Mechanisms of Ru Based Thick Film Resistors
초록
저항범위가 다른 두종류의 Ru계 후막저항계(1Kohm/sq. 100kohm/sq.)를 선택하여 도전상의 상전이 기구를 반응조건을 변화시켜 연구하였다. 저저항체의 경우 도전상으로는 RuO2였으며 700-100
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