Silicon Piezoresistive Acceleration Sensor with Compensated Square Pillar Type of Mass

사각뿔 형태의 Mass 보상된 실리콘 압저항형 가속도 센서

When etching rectangular convex corners of silicon using anisotropic etchants such as KOH, deformation of the edges always occurs due to undercutting. Therefore, it is necessary to correct the mass pattern for compensation. Experiments for the compensation method to prevent this phenomenon were carried out. In the result, the compensation pattern of a regular square is suitable for acceleration sensors considering space. With this consequence, silicon piezoresistive acceleration sensor with compensated square pillar type of mass has been fabricated using SDB wafer.

KOH와 같은 이방성 식각수용액를 사용하여 직각모양의 볼록한 가장자리를 식각할 때, 언더컷팅에 의해 가장 자리가 뭉개어지는 현상이 나타난다. 그래서 이 현상을 방지하기 위해 mass 패턴을 수정할 필요가 있어 보상법에 관한 실험을 하였다. 가속도센서 소자공간을 고려할 경우 정사각형의 보상구조로 mass를 보상하는 것이 적당하다는 결과를 얻었다. 이 결과를 기초로, SDB 웨이퍼를 이용하여 사각뿔 형태의 mass 보상된 실리콘 압저항형 가속도센서를 제조하였다.