한국진공학회지 (Journal of the Korean Vacuum Society)
- 제2권2호
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- Pages.199-208
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- 1993
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- 1225-8822(pISSN)
Diamond 박막 성장에 미치는 Si 표면 영향의 AES에 의한 연구
A Study on the Effect of Si Surface on Diamond Film Growth by AES
- 이철로 (한국표준과학연구원 진공표면분석연구실) ;
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신용현
(한국표준과학연구원 진공표면분석연구실) ;
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임재영
(한국표준과학연구원 진공표면분석연구실) ;
- 정광화 (한국표준과학연구원 진공표면분석연구실) ;
- 천병선 (충남대학교 급속응고신소재연구소)
- Lee, Cheol-Ro (Korea Research Institute of Standards & Science, Vaccum and Surface Science Lab.) ;
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Sin, Yong-Hyeon
(Korea Research Institute of Standards & Science, Vaccum and Surface Science Lab.) ;
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Im, Jae-Yeong
(Korea Research Institute of Standards & Science, Vaccum and Surface Science Lab.) ;
- Jeong, Gwang-Hwa (Korea Research Institute of Standards & Science, Vaccum and Surface Science Lab.) ;
- Cheon, Byeong-Seon (Chungnam National University, RASOM)
- Published : 1993.06.01
Abstract
Si 기판 표면상태 변화와 관련된 핵생성 자유에너지 증가에 따른 다이아몬드 박막성장 거동을 관찰하였다. 표면 염마조건 변화에 따른 3가지 기판(A-Si, B-Si, C-Si)위에 동일한 성장조건으로 다이아몬드를 성장하였으며, 이때 형상인자와 관련된 자유에너지 관계는
The effect of nucleation free energy related to Si surface states on diamond film growth behavior has been studied. Ar first, the three kinds of diamond thin films (A, B, C) were deposited on various Si substrates (A-Si, B-Si, C-Si) whose surfaces were polished with 1
Keywords