Journal of the Korean Vacuum Society (한국진공학회지)
- Volume 2 Issue 4
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- Pages.462-467
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- 1993
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- 1225-8822(pISSN)
Room Temperature Fabrication of Silicon Oxide Thin Films by ECR PECVD
ECR PECVD 에 의한 상온 실리콘 산화막 형성
Abstract
ECR PECVD(Electron Cyclotron Resonance Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition )장치를 이용하여 (100) 실리콘 기판 위에 실리콘 산화막을 상온에서 증착하였다. 기체 유량비(SiH4/O2)가 막의 성질에 미치는 영향을 고찰하여 최적의 증착 조건을 도출하였다. 기체 유량비가 0.071일 때 비가역 파괴 전장은 9~10MV/cm 이었고, 4~5MV/cmm의 전장하에서 누설 전류는 ~10-11 A/
Keywords