Journal of the Korean Vacuum Society (한국진공학회지)
- Volume 2 Issue 3
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- Pages.346-354
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- 1993
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- 1225-8822(pISSN)
A Study on the Growth and Characteristics of Diamond Thin Films by RF Plasma CVD
고주파플라즈마CVD법에 의한 Diamond 박막의 성장과 특성
Abstract
The diamond particles and films were deposited on Si and qurtz substrate for
고주파플라즈마 CVD법으로 CH4와 H2의 혼합가스로부터 실리콘과 석영기판 위에 다이아몬드 입자와 박막을 성장시켰다. 기판과 기판지지대 사이에 금속판을 삽입함으로써 기판의 온도와 성장된 박막의 두께를 비교적 균일하게 할 수 있었다. 방전전력이 같은 경우 성장된 박막의 형태는 반응관 압력을 증가시킴에 따라 자형면을 가진 입자로부터 미립자 도는 구성의 입자로 변화되었다.
Keywords