한국진공학회지 (Journal of the Korean Vacuum Society)

한국진공학회 (The Korean Vacuum Society)
권호 표지

Ge-GaAs 계면과 AlAs-GaAs 계면의 전자구조와 화학적 특성

The Electronic Properties and the Interface Stoichiometries of Ge-GaAs and AlAs-GaAs

  • 조화석 (영남대학교 자연과학대학 물리학과) ;
  • 박진호 (영남대학교 자연과학대학 물리학과) ;
  • 오영기 (영남대학교 자연과학대학 물리학과) ;
  • 김민기 (영남대학교 자연과학대학 물리학과)
  • 발행 : 1993.09.01
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초록

계면의 원자구조와 전자특성간의 상관성을 연구하기 위하여 GaAs-Ge(AlAs) 이종접합에서 전자의 국소상태밀도(LDOS)를 계산하였다. 본 연구에서는 tight-binding recursion 방법을 기초로 하여 계면의 국소상태밀도로부터 band-offsets, 계면형성에너지, 계면결합의 bond order 등을 연구하는 보다 편리한 방법을 제시하였다.

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