Journal of the Korean Vacuum Society (한국진공학회지)
- Volume 2 Issue 3
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- Pages.325-330
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- 1993
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- 1225-8822(pISSN)
Emission Characteristics of MOS Electron Tunneling Cathode
MOS 형태 전자 턴넬링 전극의 특성
- Yokoo, Kuniyoshi (Research Institute of Electrical Communication, Tokoku Univ.)
- Published : 1993.09.01
Abstract
실리콘 gate의 MOS 전자 턴넬링 전극을 구성하여 그 특성을 조사하였다. 전자 방출은 전 gate 영역에서 MOS diode의 전위차를 지나는 턴넬링에 의하여 일어나고 안정하였다. 측정된 전류에서 산화막과 gate에서의 열전자의 충돌을 연구하였다. 방출된 전류는 압력에 관계없이 일정하였다.
Keywords