Journal of the Korean Vacuum Society (한국진공학회지)

The Korean Vacuum Society (한국진공학회)
권호 표지

Characteristics of Carbon and Aluminum Incorporation in AlGaAs by UHVCVD using Trimethylgallium, Trimethylalumnium, and Arsine

Trimethylgallium, Trimethylauminum과 Arsine을 사용하여 UHVCVD방법으로 성장된 AlGaAs의 탄소 및 알미늄의 유입 특성

  • 노정래 (한국전자통신연구소 기초기술연구부) ;
  • 심재기 (한국전자통신연구소 기초기술연구부) ;
  • 하정숙 (한국전자통신연구소 기초기술연구부) ;
  • 박성주 (한국전자통신연구소 기초기술연구부) ;
  • 이일항 (한국전자통신연구소 기초기술연구부)
  • Published : 1993.03.01
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Abstract

새로운 단결정 박막 성장방법으로 최근에 많은 관심을 끌고 있는 초고진공 화학기상증착법(Ultra-High Vacuum Chemical Vapor Deposition)을 이용하여 AlGaAs에 에피탁시 박막을 성장시켰다. AlGaAs 에피탁시층의 성장은 2。 경사진 GaAs(100) 기판을 사용하였다. 반응 기체로는 Trimethylgallium(TMGa), Trimethylaluminum(TMAl)과 arsine을 사용하였고, 성장온도는 $580~700^{\circ}C$, 기체 압력은 10-5~10-4Torr를 유지하였다. 특히 본 연구에서는 arsine을 사전에 열분해 하는 통상의 Chemical Beam Epitaxy(CBE) 성장법과는 달리, arsine이 표면에서 분해되는 화학 반응만을 사용하여도 AlGaAs 에피탁시를 성장할 수 있음은 물론 박막내의 탄소 불순물의 농도가 크게 낮아짐을 관찰하였다. 또한 성장 온도의 변화에 따른 AlGaAs 에피탁시층의 Al 함유 과정에 대하여도 고찰하였다.

Keywords