Abstract
Exchange coupled $NiFe/TbCo/Sio_{2}$ thin films for magnetoresistive heads were sputter deposited using RF diode sputtering method, and their magnetic characteristics were measured. TbCo films were deposited using a composite target, which is composed of Tb chips epoxied on a Co target. NiFe($400\AA$)/TbCo($1500\AA$)/$SiO_{2}$($500\AA$) films were deposited using a TbCo target having 30 % of Tb area ratio, which showed 25 Oe of the exchange field without substrate bias and 12 Oe with -55 V of substrate bias. The effective in-plane coercivities of the three layer films fabricated with less than -55 V of substrate bias were approximately proportional to the perpendicular coercivities of the TbCo layer only. The films fabricated with a Theo target of 28 % area ratio showed the same trend. However, the exchange field decreased to 4 Oe without the substrate bias and 7 Oe with -55 V of substrate bias. In the films fabricated with 1000 W of power and the target of 36 % area ratio exhibited 100 Oe of exchange field and 3 Oe of coercivity. As the thickness of NiFe layer increased, the exchange field decreased.
자기 저항 헤드용 자기 교환 결합 $NiFe/TbCo/Sio_{2}$ 박막을 RF diode 스퍼터링 방법을 이용하여 제조하고, 그 자기적 특성을 측정하였다. TbCo 박막은 Co 타겟 위에 Tb 조각을 부착한 복합 타겟을 사용하였다. 30%의 Tb 면적을 갖는 타겟으로 제조된 NiFe($400\AA$)/TbCo($1500\AA$)/$SiO_{2}$($500\AA$) 시편은 기판 바이어스를 인가하지 않았을 때 25 Oe, 기판 바이어스-55 V를 인가했을 때 12 Oe의 교환자장을 나타냈다. 기판 바이어스 -55 V 이하에서 유효 수평 보자력으 TbCo 층의 수직 보자력에 거의 비례하였고, 28%의 Tb 면적비를 갖는 시편에서도 같은 경향을 나타내었다. 그러나, 교환 자장은 기판 바이어스가 인가되지 않은 경우에 4 Oe로, -55 V에서 7 Oe로 각각 감소하 였다. 1000 W, Tb 면적비 36%에서 증착된 시편에서 100 Oe 정도의 교환 자장을 얻었으며, 보자력은 3 Oe로 작았다. 그리고, NiFe의 두께가 두꺼워짐에 따라 교환 자장의 크기가 감소하였다.