Magnetic Tunneling Effects in $Permalloy/Al_{2}O_{3}/Co$ Junction

$Permalloy/Al_{2}O_{3}/Co$ 접합의 자기터널 효과

  • 이민숙 (숙명여자대학교 물리학과) ;
  • 송현주 (숙명여자대학교 물리학과) ;
  • 장현숙 (숙명여자대학교 물리학과) ;
  • 김미양 (숙명여자대학교 물리학과) ;
  • 이장로 (숙명여자대학교 물리학과) ;
  • 이용호 (전북대학교 물리학과)
  • Published : 1993.03.01

Abstract

Magnetoresistance was studied for the ferromagnetic tunneling junction in $Permalloy/Al_{2}O_{3}/Co$ prepared by evaporation in a vacuum of $1{\times}10^{-6}$Torr. We measured voltage-current characteristic and magnetic valve effect of prepared ferromagnetic tunneling junction sample. We investigated field-dependency of tunnel resistance by Wheat-stone bridge method and measured magnetic hysteresis curve by vibrating sample magnetometer. The tunneling is confirmed by measuring voltage-current characteristic. The hysteresis curve of magnetoresistance corresponds well with that of magnetization. The magnetoresistance ratio ${\Delta}R/R$ is 0.6% at room temperature.

$1{\times}10^{-6}$Torr의 진공에서 열저항 가열식 진공증착 방법으로 제작한 $Permalloy/Al_{2}O_{3}/Co$ 강자성 터널집합의 자기저항 효과를 조사하였다. 이 논문에서는 제작한 강자성 터널접합 시료의 전류-전압 특성과 자기 valve 효과를 측정하고, 시료진동형자기계로 측 정한 자기이력곡선을 통하여 터널저항의 히스테리시스성 자장 의존성을 조사하였다. 터널링은 전류-전압 특성을 측정함으로써 확인 되어진다. 자기저항의 히스테리시스 곡선은 자화의 히스테 리시스 곡선과 잘 대응한다. 측정한 자기저항비 ${\Delta}R/R$은 실온에서 약 0.6% 였다.

Keywords