융액인상법에 의한 코런덤 단결정 육성

Crystal Growth of Corundum by Czochralski Technique

융액인상법에 의해 코런덤 단결정을 육성하였다. 인상속도, 회전속도, 융액온도 등 결정육성 요소가 결정 의 품질에 미치는 영향을 조사하였다. 양질의 결정을 육성하기 위한 최적 인상속도는 4.0 mm/hr, 회전속도는 30rpm이었다. 코런덤 결정에서 가장 중요한 결합은 기포이었으며, 기포발생을 억제할 수 있는 융액의 온도제어 방법을 논의하였다. 육성된 결정의 성장방위는 (0001)이었으며, 이 방위는 가장 빠른 성장속도를 갖는 것으로 판단되었다. 흡수 스펙트럼 을 측정하여 Cr3+이온의 흡수천 이를 확인하였다.

Corundum single crystals were grown by the Czochralski technique. Relationships between crystal quality and crystal growth factors such as pulling rate, rotation rate and temperature of the melt were investigated. Optimum pulling and rotation rate for high quality corundum single crystal growth were 4.0mm/hr, 30rpm respectively. Pore was a main defect in corundum crystal and also discussed how to remove this defect by melt temperature control. Growth direction of as grown crystals was identified with(0001). And this direction had largest growth rate. Room temperature absorption spectra were measured and discussed for Cr3+ion doped and non-doped corundum crystals.