한국재료학회지 (Korean Journal of Materials Research)
- 제2권5호
- /
- Pages.383-386
- /
- 1992
- /
- 1225-0562(pISSN)
- /
- 2287-7258(eISSN)
(100) 실리콘의 깊은 이등망성 식각시 석각면의 가장자리에 존재하는 불균일성의 짤막한 고찰
Short Consideration on the Non-Uniformities Existing at the Etched-edges in Deep Anisotropic Etching of(100) Silicon
-
주병권
(KIST 이공학연구단)
;
- 하병주 (서울시립대학교 전자공학과) ;
- 김철주 (서울시립대학교 전자공학과) ;
- 오명환 (KIST 이공학연구단) ;
- 차균현 (고려대학교 전자공학과)
-
Ju, Byeong-Kwon
(Div. Applied Science and Engineering, KIST)
;
- Ha, Byeoung-Ju (Dept. Electronic Engineering, Seoul City University) ;
- Kim, Chul-Ju (Dept. Electronic Engineering, Seoul City University) ;
- Oh, Myung-Hwan (Div. Applied Science and Engineering, KIST) ;
- Tchah, Kyun-Hyon (Dept.of Electronics Engineering, Korea University)
- 발행 : 1992.10.01
초록
(100) 실리콘 기판에 대해 깊온 비등방성 식각을 행한 경우 식각면의 가장자리에 존재하는 욜균일성은 식각 계면의 격자결함과 기계적 응력에 의한 것임을 판찰할 수 있었다.
In deep anisotropic etching of (100)-oriented Si substrate, it could be observed that the non-uniformities existing near the etched-edge were caused by lattice defects and mechanical stress at the etching interface.
키워드