Abstract
TCR modifying oxides which have negative TCR were added to the $\textrm{RuO}_2$ thick film resistors and how they affect the TCR and resistivity of the systems were investigated. Two types of resistor systems whose ratio of $\textrm{RuO}_2$ to glass were 20/80 and 12/88 were used as standard resistors. It was observed that the modifiers did not always lower the TCR of the resistors and the direction of the TCR change were different from system to system. It was confirmed, however, that the feasibility of optimization of TCR of the resistors. When more than two TCR modifiers were added simultaneously there was no interaction between them. The resultant TCR of the resistor wart just sum of the effects from individual modifier. It was found to be desirable that the amount of addition of the TCR modifiers should be less than 2 to 3 percent.
$\textrm{RuO}_2$와 glass의 비가 20/80과 12/88인 두종류의 후막저항계에 NTCR 특성을 나타내는 여러종류의 산화물을 첨가하였을때 저항체의 TCR과 전기비저항이 어떻게 변화하는가에 대한 실험을 실시하였다. 첨가된 TCR modifier들이 NTCR특성을 갖는다고해서 저항체의 TCR이 창상 감소되지는 않으며 또한 어떠한 modifier가 모든 저항계에 항상 일정 방향으로만 TCR을 변화시키지는 않았다. 그러나 이들 TCR modifier들을 적당량 첨가함으로써 후막저항체의 TCR과 저항값을 원하는 바대로 얻을 수 있다는 가능성을 확인하였다. 두 종류의 이상의 TCR modifier를 동시에 첨가하였을때에 첨가된 TCR modifier들 각각의 TCR변화가 합해져서 결과로 나타남으로써 이들 사용된 TCR modifier들 간에는 상호작용이 없음을 알 수 있었다. TCR modifier의 첨가량은 2~3%내로 억제하는 것이 바람직함을 알 수 있었다.