A Study on the Design of High speed LIne Memory Circuit for HDTV

HDTV용 고속 라인 메모리 회로 설계에 관한 연구

Recently, image signal processing techniques for HDTV signal have been drastically developed. This kind of skill improvement on signal processing need specific memory device for video signal. in this paper, data latch scheme which implements CMOS flip-flop to hold Information from in-put strobe and new reading method is devised to attain a proper access time suitable for HDTY signal. Compared with conventional write scheme, data latch method has two procedures to complete write operation : bit line write and storage cell write, enabling concurrent I /0 operation at the same address. Also, fast read access is possible through the method similar to static column mode and the separated read word line.

최근들어 HDTV를 위한 영상 신호처리 기술이 급속히 발전하고있다. 이러한 신호처리 기술의 향상에 따라 영상신호용 특수 기억소자의 개발이 요구되고 있다. 본 논문에서는 입력 스트로브로 부터 정보를 반아 기억하는 CMOS 플립플롭을 채용한 데이타 래치 방식과 HDTV 신호에 적합한 엑세스 시간을 얻기 위하여 새로운 읽기 방식이 고안 되었다. 기존의 쓰기 방식과 비교하여 데이터 래치 방식은 완전한 쓰기 동작을 위하여 비트라인 쓰기와 메모리셀 쓰기의 2개의 과정이 필요하고 같은 번지의 동시 입출력이 가능하다. 또한 스태틱 칼럼 모드를 응용한 읽기 방식과 분리된 읽기 워드라인을 채용하여 읽기 동작시 빠른 정보 감지가 가능하다.