Al, Ag 박막에서 Electromigration과 Ahesion에 관한 연구

A Study on the Electromigration and Adhesion in Al, Ag Thin Films

  • 김대일 (광운대학교 전자재료공학과) ;
  • 전진호 (광운대학교 전자재료공학과) ;
  • 박영래 (광운대학교 전자재료공학과) ;
  • 최재승 (광운대학교 전자재료공학과) ;
  • 김진영 (광운대학교 전자재료공학과)
  • 발행 : 1992.06.01

초록

본 논문은 Al, Ag 박막에서 엘렉트로마이그레이션 현상에 의한 힐록, 기공형성과 접착력에 대하여 연구하였다. Mo 보트를 이용하여 1 $\times$ 10-7Torr의 진공도에서 전자빔 증착 기로 현미경용 유리기판에 약 1$000AA$의 두께로 Al, Ag 박막을 각각 증착하였다. Al, Ag 박 막에서 엘렉트로마이그레이션에 의한 결함을 연구하기 위하여 1 $\times$ 105(A/cm2)의 d.c. 전류 를 인가하였고 Scratch Method와 Tape Method로 Al과 Ag 박막의 접착력을 측정하였다. 가공과 힐록, 그리고 스크레치 채널은 SEM과 광학현미경 사진을 이용하여 분석하였다. Al 박막에서는 엘렉트로마이그레이션으로 힐록과 기공이 양극부분과 음극부분에서 각각 관찰되 었다. 반면에 Ag 박막에서는 Coulombic force에 의해 기공과 힐록이 양극부분과 음극부분 에서 각각 형성되어 역엘렉트로마이그레이션 현상을 보였다. 접착력은 산소 친화력이 강한 Al 박막에서 Ag 박막보다 크게 나타났다.

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