Journal of the Korean Vacuum Society (한국진공학회지)

The Korean Vacuum Society (한국진공학회)
권호 표지

Photoluminescence Properties of Ni-doped and Undoped $CdGa_2Se_4$ Single Crystals

Ni-Doped $CdGa_2Se_4$및 Undoped $CdGa_2Se_4$단결정의 광발성 특성

  • 김창대 (목포대학교 자연과학대학 물리학과) ;
  • 정해문 (목포대학교 자연과학대학 물리학과) ;
  • 신동호 (목포대학교 자연과 학대학 물리학과) ;
  • 김화택 (전남대학교 자연과학대학 물리학과)
  • Published : 1992.06.01
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Abstract

Iodine 화학수송법으로 성장한 Ni-doped CdGa2Se4와 undoped CdGa2Se4 단결정 의 PL 및 PLE 스펙트럼을 조사하였다. Undoped CdGa2Se4 단결정의 PL 스펙트럼에서는 전도대아래 준 연속적으로 분포된 electron trap과 deep level, 그리고 가전자대 위 0.07eV, 0.12eV에 있는 acceptor level 사이의 전자전이에 의한 2개의 emission band를 2.13eV와 1.20eV 영역에서 관측하였으며, Ni-doped 단결정에서는 Ni2+ 이온의 여기상태 3T1(3P)와 바 닥상태 3T1(3F) 사이의 전자전이에 의한 emission band를 1.48eV 영역에서 관측하였다. 이 러한 결과로부터 제안된 CdGa2Se4의 energy band model은 본 연구의 PL mechanism을 설명하는데 가능함을 보여주었다.

Keywords