Photoferroelectric 반도체의 광학적 특성연구 II : (BiSI, BiSeI, BiSI : Co 및 BiSeI : Co 단결정의 광학적 특성에 관한 연구)

Optical Properties of Photoferroelectric Semiconductors II (Optical Properties of BiSI, BiSI : Co, BiSeI and BiSeI : Co Single Crystals)

  • 고재모 (전남대학교 자연과학대학) ;
  • 윤상현 (전남대학교 자연과학대학) ;
  • 김화택 (전남대학교 자연과학대학) ;
  • 최성휴 (조선대학교 자연과학대학 물리학과) ;
  • 김형곤 (조선대학교 병설 공업전문대 전기과) ;
  • 김창대 (목포대학교 자연과학대학 물리학과) ;
  • 권숙일 (서울대학교 자연과 학대학 물리학과)
  • 발행 : 1992.06.01

초록

BiSI, BiSI : Co, BiSeI 및 BiSeI : Co 단결정을 고순도의 성분원소와 8.6mole% 과잉의 Iodine를 투명석영관내에 넣고 진공봉입하여 합성한 ingot를 사용하여 수직 Bridgman 방법으로 성장시켰다. 성장된 단결정은 orthorhombic 구조였고, energy band 구 조는 간접전이형으로 293K에서 광학적 energy gap은 각각 1.590eV, 1.412eV, 1.282eV 및 1.249eV로 주어지며, energy gap의 온도의존성은 Varshni 방정식으로 잘 표현된다. Cobalt 를 첨가할 때 나타나는 불순물 광흡수 peak는 Td symmetry점에 위치한 Co2+, Co3+ ion의 energy 준위들 사이의 전자전이에 의해서 나타난다.

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