한국진공학회지 (Journal of the Korean Vacuum Society)

한국진공학회 (The Korean Vacuum Society)
권호 표지

Ion Beam Mixing과 급속열처리 방법을 이용한 Ti-SALICIDE용 $TiSi_2$ 박막 개선에 관한 연구

Study on the Improvement of $TiSi_2$ film for Ti-SALICIDE Process Using Ion Beam Mixing and Rapid Thermal Annealing

  • 최병선 (울산대학교 재료공학과 울산 680-749) ;
  • 구경완 (충청실업전문대학 전자과) ;
  • 천희곤 (울산대학교 재료공학과 울산 680-749) ;
  • 조동율 (울산대학교 재료공학과 울산 680-749)
  • 발행 : 1992.02.01
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초록

Ion beam mixing과 질소분위기에서 Rapid Thermal Annealing을 이용하여 형성된 TiSi2 박막의 표면과 계면의 물리적, 전기적 특성이 크게 개선되었으며, 기존 Ti-SALICIDE 의 신뢰도 측면에서 문제가 될 수 있는 Oxide Spacer 상에서의 Lateral Silicide 형성이 최 대한 억제된 수 있었다. 또한 Ti-SALICIDE 공정에서의 Ti/Si와 Ti/SiO2의 Interaction을 반응 조건별로 연구하였다.

The surface and interface morphology as well as the sheet resistance, and uniformity of TiSiz film are significantly improved and the lateral titanium silicide growth over the oxide spacer is minimized by the use of ion beam mixing and rapid thermal annealing in nitrogen ambient. In addition, TiSiz film formations on TiISi and TiISiOz system were also studied.

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