한국광학회지 (Korean Journal of Optics and Photonics)
- 제3권4호
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- Pages.252-257
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- 1992
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- 1225-6285(pISSN)
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- 2287-321X(eISSN)
액상결정성장에 의한 InGaAsP/InP MQW-ND 제작에 관한 연구
A study on the InGaAsP/InP MQW-LD fabrication by the liquid phase epitaxy
초록
본 연구에서는 수직형 LPE 장치를 이용하여 InGaAsP/InP MQW-DH웨이퍼를 성장하고 10
In this study, InGaAsP/InP MQW-DH wafer was grown by a vertical type LPE system and 10
키워드