The Proceeding of the Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science (한국전자파학회지:전자파기술)

The Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science (한국전자파학회)
권호 표지

Design of wide Band Microwave Amplifier with Good Frequncy Characteristics

주파수 특성이 좋은 광대역 마이크로웨이브 증폭기의 설계

  • 강희창 (서울산업대학 전자공학과) ;
  • 박일 (동양공업전문대학 통신공학과) ;
  • 진연강 (단국대학 전자공학과)
  • Published : 1991.06.01
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Abstract

The new structure method of GaAs microwave amplifiers using DC block function and impedance transforming property of DC block/transformer(non-symmetrical two - microstrip coupled line and interdigital three - microstrip coupled line), instead of chip capacitor, is presented. The newly structured microwave amplifier showed wideband characteristics(bandwidth, 3.5 GHz) and flat frequency response. Interdigital three - microstrip coupled line which is used for microwave amplifier can be used to match amplifiers as well as DC blocking.

GaAs FET초고주파 증폭기의 DC 블럭용으로 사용되는 칩 커페시터 대신 DC블럭 및 임피던스 변환 성질을 가진 DC block/transformer(비대칭 2선 마이크로스트립 선로 및 까지낀 3선 마이크로스트립 선로)를 사용한 초고주파 증폭기의 새로운 구성 방법을 제시하였다. 새로운 구성을 갖는 초고주파 증폭기의 대역 특성은 평탄하며 대역폭이 3.5(BHz)인 광대역 특성을 얻으 수 있었다. 초고주파 증폭기에 사용된 깍지낀 3선 마이크로스트리 결합 선로는 DC블럭 기능과 함께 임피던스 정합 역할을 할 수 있는 큰 장점을 가지고 있다.

Keywords